细粉加工设备(20-400目)
我公司自主研发的MTW欧版磨、LM立式磨等细粉加工设备，拥有多项国家专利，能够将石灰石、方解石、碳酸钙、重晶石、石膏、膨润土等物料研磨至20-400目，是您在电厂脱硫、煤粉制备、重钙加工等工业制粉领域的得力助手。
超细粉加工设备(400-3250目)
LUM超细立磨、MW环辊微粉磨吸收现代工业磨粉技术，专注于400-3250目范围内超细粉磨加工，细度可调可控，突破超细粉加工产能瓶颈，是超细粉加工领域粉磨装备的良好选择。
粗粉加工设备(0-3MM)
兼具磨粉机和破碎机性能优势，产量高、破碎比大、成品率高，在粗粉加工方面成绩斐然。
aln烧结
氮化铝（AlN）陶瓷常见的烧结方法概述材料
2021年5月27日 要制备高热导率的AlN陶瓷，在烧结工艺中必须解决两个问题：是要提高材料的致密度，第二是在高温烧结时，要尽量避免氧原子溶入的晶格中。 常见的烧结方法如下： 1、常压烧结 常压烧结是AlN陶瓷传统的制备工艺。 在常压烧结过程中，坯体不受外加压力作用， 由氮化铝粉末制备氮化铝陶瓷坯体，需要利用成型工艺把粉体制备成坯体，然后再 氮化铝（AlN）陶瓷常见的 2021年11月25日 AlN烧结助剂一般是碱金属氧化物和碱土金属氧化物，烧结助剂主要有两方面的作用：一方面形成低熔点物相，实现液相烧结，降低烧结温度，促进坯体致密化；另一方面，高热导率是AlN基板的重要性能，而实现AlN基板 氮化铝基板烧结：助剂、工艺及气氛三大关键因素2022年6月17日 AlN基片较常用的烧结工艺一般有5种，即热压烧结、无压烧结、微波烧结、放电等离子烧结和自蔓延烧结。 其中热压烧结是目前制备高热导率致密化AlN陶瓷的主要工艺。火热的氮化铝（AlN ）陶瓷基板制备工艺简介 艾邦
氮化铝（AlN）陶瓷常见的坯体成型与烧结方法概述
2017年8月28日 由氮化铝粉末制备氮化铝陶瓷坯体，需要利用成型工艺把粉体制备成坯体，然后再进行烧结工作。 氮化铝成型工艺主要有干压成型、等静压成型、流延法成型和注射成型等 2024年3月12日 AlN烧结助剂一般是碱金属氧化物和碱土金属氧化物，烧结助剂主要有两方面的作用：一方面形成低熔点物相，实现液相烧结，降低烧结温度，促进坯体致密化；另一方面，高热导率是AlN基板的重要性能，而实现AlN基板 氮化铝陶瓷基板烧结三大关键因素：助剂、工艺及气氛2021年5月27日 由氮化铝粉末制备氮化铝陶瓷坯体，需要利用成型工艺把粉体制备成坯体，然后再进行烧结工作。 氮化铝成型工艺主要有干压成型、等静压成型、流延法成型和注射成型等 氮化铝（AlN）陶瓷常见的坯体成型与烧结方法概述粉末2008年4月28日 工艺：热压烧结、无压烧结、放电等离子烧结、微波烧结及自蔓延烧结；阐述AlN 基板的制备工艺及其影响因素。 关键词：AlN；导热机理；合成；烧结；烧结助剂；基板AlN 陶瓷基板材料的典型性能及其制备技术
AlN陶瓷烧结技术研究进展【维普期刊官网】 中文期刊服务平台
本文主要论述了氮化铝陶瓷制备过程中各种烧结参数,包括烧结助剂、烧结气氛、保温时间、常压烧结、热压烧结、微波烧结和等离子烧结等对氮化铝陶瓷性能的影响2021年7月28日 氮化铝(AlN)陶瓷具有优良的热导率、电绝缘性能和介电性能，最重要的是其与硅的热膨胀系数相近，是 较为理想的可用于基板和电子器件封装的半导体材料。氮化铝陶瓷的制备及研究进展 hanspub2018年2月8日 AlN陶瓷基片烧结曲线的研究与优化12试样制备工艺将上述各成分在(25±3)℃按原有制备工艺流程进行处理，首先将分散剂、溶剂、助烧剂按浆料配方比例混合并一次球磨。AlN陶瓷基片烧结曲线的研究与优化 百度文库当烧结压力为50 MPa时，获得的AlN陶瓷晶粒尺寸最小，分别为176 nm和190 nm，细化晶粒明显提高了AlN陶瓷硬度和抗弯强度。当烧结时间从5 min延长至60 min时，两种AlN陶瓷晶粒尺寸分别增大至171 μm和173 μm。晶粒长大导 放电等离子烧结制备细晶AlN陶瓷 USTB
浅谈氮化铝陶瓷烧结和显微结构
2022年1月14日 AlN陶瓷的显微结构直接影响其各种性能，而显微结构又是被YAlO二次相对 AlN晶体表面和晶界的浸润特性所影响或控制。因而，Y2O3系烧结助剂的组分和数量对 AlN陶瓷 的 烧 结 和 最 终 显 微结构优良与否是十分重要的。AlN 烧结动力：粉末的比表面能、 晶格缺陷、固液相之间的毛细力等。 要制备高热导率的 AlN 陶瓷，在烧结工艺中必须解决两个问题：是 要提高材料的致密度，第二是在高温烧结时，要尽量避免氧原子溶入的晶 【精品文章】氮化铝 (AlN)陶瓷常见的坯体成型与烧结方法概述2021年1月19日 目前AlN基片较常用的烧结工艺一般有5种，即热压烧结、无压烧结、放电等离子烧结(SPS)、微波烧结和自蔓延烧结。 （1） 热压烧结 热压烧结是在加热粉体的同时进行加压，利用通电产生的焦耳热和加压造成的塑性变形来促进烧结过程的进行。高导热氮化铝基板性能如此出众，你了解它的烧结工艺吗要闻 2017年8月28日 氮化铝（ AlN）是一种六方纤锌矿结构的共价键化合物，晶体结构和微观组织如图1所示。 室温强度高、热膨胀系数 小、抗熔融金属侵蚀的能力强、介电性能 良好，这些得天独厚的优点使其成为高导热材料而引起国内外的普遍关注。 作为高性能的介电陶瓷，氮化铝可以取代碳化硅，甚至部分取代 氮化铝（AlN）陶瓷常见的坯体成型与烧结方法概述
氮化铝粉末制备方法及研究进展 USTB
氮化铝因高导热和绝缘性得到广泛应用，目前全球氮化铝应用市场处于高速成长期，对氮化铝的需求也在持续增长。氮化铝粉末是制备氮化铝陶瓷的关键原料，其性质对后续制备的氮化铝陶瓷性能有决定性影响。本文整理对比了微米级与纳米级氮化铝粉末的制备方法并对未来氮化铝粉末制备的 摘要： AlN(氮化铝)陶瓷具有各种优异的性能,尤其是高热导率和低介电性能,使其在电子基板封装材料,耐热材料等多个领域都有广泛的应用市场上多用常压烧结工艺来制备AlN陶瓷,但是该烧结工艺制备出的AlN陶瓷性能不佳,若想制备出热导率较高的烧结体则需要很高的烧结温度和较长的保温时间, AlN陶瓷高温热压烧结工艺及其性能的研究 百度学术2020年12月1日 静压成型高性能 AlN 陶瓷，成型坯体烧结 后所得 AlN 陶瓷热导率和弯曲强度分别为 176 W m 1 K 1 和 455 MPa。Nakano 等 [15] 以 1wt% 的 Y 2 O 3 为烧结 助剂 Research Progress in Shaping Technology of AlN Ceramics 它解决了纯AlN粉体在SPS法烧结下具有相对较低的导热系数。本文对SPS烧结AlN陶瓷使用Y2O3，Sm2O3和Li2O作为烧结助剂对AlN致密化、显微组织和性能的影响进行了调查。添加烧结助剂加速氮化铝陶瓷的致密化，显著降低了氮化铝的烧结温度，改善了AlNSPS烧结法制备AlN陶瓷的微观结构和性能 百度文库
放电等离子烧结制备细晶AlN陶瓷
2024年2月28日 的纳米AlN粉为原料，采用放电等离子烧结制备 AlN陶瓷，研究烧结时间和烧结压力对AlN陶瓷 相对密度、微观组织、力学性能和导热性能的影响，寻求纳米AlN粉末放电等离子烧结的最优工艺，制备出烧结致密 、晶粒细小、性能优良的AlN陶瓷。1 实验材料与常压烧结制备的 AlN 陶瓷的第二相分布在 AlN 陶瓷晶界，可以 降低烧结体的氧含量；热压烧结 AlN 陶瓷是在 N2 气氛下石墨模具中进行 的，C 还原气氛减少低温烧结 AlN 的第二相，降低氧含量，由于部分产物 以气态的形式挥发，所以热压烧结 AlN 陶瓷的第二相【精品文章】氮化铝(AlN)烧结助剂的选择方法及分类百度文库2023年3月31日 高导热氮化铝基片的烧结工艺重点包括烧结方式、烧结助剂的添加、烧结气氛的控制等。由于AlN属于共价化合物，自扩散系数小，烧结致密化非常困难，通常需要使用稀土金属氧化物和碱土金属氧化物作为烧结助剂来促进 氮化铝（AlN?）陶瓷基板的制备工艺 知乎2011年4月24日 低温烧结氮化铝陶瓷烧结助剂的研究进展王超*彭超群**王日初余琨王小锋李超(中南大学材料科学与工程学院,长沙)摘要:分析烧结助剂在低温烧结制备高热导率AlN陶瓷过程中的作用和机理;综述AlN低温烧结助剂的研究实践;介绍烧结助剂的选择原则和几种不同烧结助剂体系对AlN陶瓷材料的烧结致密度 低温烧结氮化铝陶瓷烧结助剂的研究进展 豆丁网
烧结助剂添加方式对AlN陶瓷力学性能的影响【维普期刊官网
摘要 通过直接添加与原位生成两种方式引入Y2O3作为烧结助剂,热压烧结制备了AlN陶瓷;研究了添加方式及添加量对AlN陶瓷显微结构和力学性能的影响。 结果表明:原位生成烧结助剂的方式更有利于AlN陶瓷的致密化,特别是当原位生展开更多 A1N ceramics were fabricated by hotpressing with Y203 as sintering additive 2016年3月23日 传统的厚膜烧结的金浆和钯银浆料、多层LTCC金浆以及HTCC用的钼锰浆料等都不能满足高温要求；HTCC用的钨浆虽然满足高温烧结要求，但是与AlN生瓷片烧结不匹配。AlN多层产品对填孔的浆料质量性能要求很高，具体如：浆料能够承受1800℃以上的高温一种用于高温共烧AlN多层布线基板的填孔钨浆及制备方法2024年3月12日 烧结气氛 目前，AlN陶瓷烧结气氛有3种：中性气氛、还原型气氛和弱还原型气氛。中性气氛采用常用的N2、还原性气氛采用CO，弱还原性气氛则使用H2。在还原气氛中，AlN陶瓷的烧结时间及保温时间不宜过长，且其烧结温度不能过高，以免AlN被还原。而在氮化铝陶瓷基板烧结三大关键因素：助剂、工艺及气氛2023年4月3日 AlN 的晶体结构决定了其出色的热导性和绝缘性。根据《氮化铝陶瓷的流延成型 及烧结体性能研究》的研究中提到，由于组成 AlN 分子的两种元素的原子量小，晶体 结构较为简单，简谐性好，形成的 AlN 键键长短，键能大，而且共价键的共振有 氮化铝行业研究：AlN应用性能出众，国产替代机遇显著 知乎
低温烧结氮化铝陶瓷烧结助剂的研究进展 USTB
分析烧结助剂在低温烧结制备高热导率AlN陶瓷过程中的作用和机理;综述AlN低温烧结助剂的研究实践;介绍烧结助剂的选择原则和几种不同烧结助剂体系对AlN陶瓷材料的烧结致密度与热导率的影响 中文核心期刊; 中国科技核心期刊; 2021年9月2日 同时，纳米AlN粉末的发展将充分发挥小尺寸颗粒高比表面能的优势，提高烧结驱动力，减少烧结助剂的添加，可使制备得到AlN陶瓷具有高导热的同时具有更加细小的晶粒组织，这将进一步提高AlN陶瓷的综合性能。 制备纳米AlN粉末的方法众多且各具 北科大：氮化铝粉末制备方法的最新研究进展2021年1月27日 在AlN烧结过程中，添加稀土多相复合烧结助剂有利于形成低温液相，降低烧结温度，提高烧结致密度，并净化AlN晶界，从而能获得较高的热导率，是AlN陶瓷材料实现低温常压烧结的重要途径之一。氮化铝陶瓷从高温到低温烧结，就差个烧结助剂！要 2021年8月10日 此外，针对AlN 这种自扩散系数小、烧结温度要求高（1900 ℃以上） 的材料[5]，纳米尺寸的AlN粉末由于具有高表面能，在低温烧结致密化过程中展现出独特的优势[6‒9]。同时，晶粒尺寸影响着材料的最终性能，利用纳 米AlN粉末有望制备出具有纳米晶粒尺寸氮化铝粉末制备方法及研究进展 USTB
放电等离子烧结氮化铝陶瓷的显微组织和热导率,Materials
2011年2月1日 摘要 分别以Y2O3、Sm2O3和Dy2O3为烧结助剂，在1700℃的较低烧结温度下通过放电等离子烧结制备致密氮化铝陶瓷。研究了三种烧结添加剂对AlN陶瓷的相组成、微观结构和导热系数的影响。结果表明，这些烧结添加剂不仅通过液相烧结机制促进了 2024年4月12日 图6 AlN基板高温烧结试验前后的实物对照图 工艺B条件下外观颜色基本均匀一致，符合产品烧结要求，而工艺A条件下产品边缘正常，中间区域明显偏暗。因此，优化气体流量和压强，形成一定强度的气流场，利于改善陶瓷基板外观一致性。 4 总结 HTCCAlN陶瓷基板高温烧结设备与烧结工艺曲线上海陶瓷展 摘要： 电力电子装备的功率密度不断增大,传统的散热基板已满足不了热耗散性的要求,AlN陶瓷具有热导率高,线膨胀系数与Si接近,电性能优良,机械性能好等明显的综合优势,作为A1N陶瓷的典型产品,AlNDBC具有热导率高,载流能力强等特点,氮化铝基陶瓷覆铜板将成为新的发展趋势本论文采用2种氧化方式对 AlNDBC烧结前处理与工艺优化 百度学术2024年4月1日 烧结过程中，通常会在高温下进行，使得凝胶体中的氮化铝前体发生晶化和结合，形成致密的氮化铝陶瓷结构。 精加工（可选） 根据需要，可以对烧结后的氮化铝陶瓷进行进一步的精加工，例如打磨、抛光或涂层等，以达到所需的表面形貌和性能。氮化铝AlN的发展和制备方法 Around Physics
你家的氮化铝“防水”做好了吗？ 中国粉体网
2024年7月24日 总的来讲，AlN粉体极易水解，一方面给其运输、存储带来了困难，更重要的是AlN粉体水解后，其N含量降低，将显著降低AlN陶瓷的性能；同时，AlN粉体的易水解性也阻碍了AlN陶瓷水基成型工艺的发展。粉体改性破氮化铝“水解之谜”摘 要: 对YF 3CaF 2 烧结助剂体系的氮化铝(AlN)低温烧结过程中液相向表面迁移的现象和表层晶粒生长进行了研究， 同时分析讨论了液相迁移的机制。AlN低温烧结过程中液相向表面的迁移， 有利于减少晶界相， 提高其热导率。 然而， 液相向表面过量迁移和富集则导致了表层晶粒的异常生 氮化铝陶瓷低温烧结过程中的液相迁移与表层晶粒生长傅仁利 2015年6月14日 文章编号:(2014)热压烧结AlN(Y2O3)陶瓷热导率的温度关系∗袁文杰,李晓云,丘 泰,陆万泽(南京工业大学材料科学与工程学院,南京)摘 要: 采用热压烧结技术,以Y2O3为烧结助剂制备AlN陶瓷。热压烧结AlN（Y2O3）陶瓷热导率的温度关系 豆丁网2020年12月19日 钧杰陶瓷 3、高压烧结 AlN陶瓷高压烧结与热压烧结类似，只不过施加的外来压力更高，一般称在大于1GPa高压下进行的烧结为高压烧结。其不仅能够使材料迅速达到高致密度，具有细小晶粒，甚至使晶体结构甚至原子、电子状态发生变化，从而赋予材料在通常烧结或热压烧结工艺下所达不到的性能。氮化铝陶瓷是任何烧结出来的 知乎
AlN陶瓷基片烧结曲线的研究与优化 百度文库
2018年2月8日 AlN陶瓷基片烧结曲线的研究与优化12试样制备工艺将上述各成分在(25±3)℃按原有制备工艺流程进行处理，首先将分散剂、溶剂、助烧剂按浆料配方比例混合并一次球磨。当烧结压力为50 MPa时，获得的AlN陶瓷晶粒尺寸最小，分别为176 nm和190 nm，细化晶粒明显提高了AlN陶瓷硬度和抗弯强度。当烧结时间从5 min延长至60 min时，两种AlN陶瓷晶粒尺寸分别增大至171 μm和173 μm。晶粒长大导 放电等离子烧结制备细晶AlN陶瓷 USTB2022年1月14日 AlN陶瓷的显微结构直接影响其各种性能，而显微结构又是被YAlO二次相对 AlN晶体表面和晶界的浸润特性所影响或控制。因而，Y2O3系烧结助剂的组分和数量对 AlN陶瓷 的 烧 结 和 最 终 显 微结构优良与否是十分重要的。浅谈氮化铝陶瓷烧结和显微结构AlN 烧结动力：粉末的比表面能、 晶格缺陷、固液相之间的毛细力等。 要制备高热导率的 AlN 陶瓷，在烧结工艺中必须解决两个问题：是 要提高材料的致密度，第二是在高温烧结时，要尽量避免氧原子溶入的晶 【精品文章】氮化铝 (AlN)陶瓷常见的坯体成型与烧结方法概述
高导热氮化铝基板性能如此出众，你了解它的烧结工艺吗要闻
2021年1月19日 目前AlN基片较常用的烧结工艺一般有5种，即热压烧结、无压烧结、放电等离子烧结(SPS)、微波烧结和自蔓延烧结。 （1） 热压烧结 热压烧结是在加热粉体的同时进行加压，利用通电产生的焦耳热和加压造成的塑性变形来促进烧结过程的进行。2017年8月28日 氮化铝（ AlN）是一种六方纤锌矿结构的共价键化合物，晶体结构和微观组织如图1所示。 室温强度高、热膨胀系数 小、抗熔融金属侵蚀的能力强、介电性能 良好，这些得天独厚的优点使其成为高导热材料而引起国内外的普遍关注。 作为高性能的介电陶瓷，氮化铝可以取代碳化硅，甚至部分取代 氮化铝（AlN）陶瓷常见的坯体成型与烧结方法概述 氮化铝因高导热和绝缘性得到广泛应用，目前全球氮化铝应用市场处于高速成长期，对氮化铝的需求也在持续增长。氮化铝粉末是制备氮化铝陶瓷的关键原料，其性质对后续制备的氮化铝陶瓷性能有决定性影响。本文整理对比了微米级与纳米级氮化铝粉末的制备方法并对未来氮化铝粉末制备的 氮化铝粉末制备方法及研究进展 USTB摘要： AlN(氮化铝)陶瓷具有各种优异的性能,尤其是高热导率和低介电性能,使其在电子基板封装材料,耐热材料等多个领域都有广泛的应用市场上多用常压烧结工艺来制备AlN陶瓷,但是该烧结工艺制备出的AlN陶瓷性能不佳,若想制备出热导率较高的烧结体则需要很高的烧结温度和较长的保温时间, AlN陶瓷高温热压烧结工艺及其性能的研究 百度学术
Research Progress in Shaping Technology of AlN Ceramics
2020年12月1日 静压成型高性能 AlN 陶瓷，成型坯体烧结 后所得 AlN 陶瓷热导率和弯曲强度分别为 176 W m 1 K 1 和 455 MPa。Nakano 等 [15] 以 1wt% 的 Y 2 O 3 为烧结 助剂 它解决了纯AlN粉体在SPS法烧结下具有相对较低的导热系数。本文对SPS烧结AlN陶瓷使用Y2O3，Sm2O3和Li2O作为烧结助剂对AlN致密化、显微组织和性能的影响进行了调查。添加烧结助剂加速氮化铝陶瓷的致密化，显著降低了氮化铝的烧结温度，改善了AlNSPS烧结法制备AlN陶瓷的微观结构和性能 百度文库
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